收藏本站
DMG7430LFG
30
V DS = 5.0V
30
25
20
25
20
V DS = 5.0V
T A = 125°C
15
10
5
15
10
5
T A = 150°C
T A = 85°C
T A = 25°C
0
0
0.5 1.0 1.5
2.0
0
1.0
T A = -55°C
1.5 2.0 2.5 3.0 3.5
4.0
0.04
0.03
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig.4 Typical Output Characteristic
0.04
0.03
V GS , GATE-SOURCE VOLTAGE
Fig. 5 Typical Transfer Characteristics
0.02
0.02
I D = 20A
0.01
V GS = 4.5V
0.01
I D = 10A
V GS = 10V
0
0
5
10 15 20 25
30
0
3
4
5 6 7 8 9 10
0.03
I D , DRAIN-SOURCE CURRENT
Fig. 6 Typical On-Resistance vs.
Drain Current and Gate Voltage
1.8
V GS , GATE VOLTAGE (V)
Fig. 7 Typical On-Resistance vs. Gate Voltage
V GS = 4.5V
1.6
V GS = 10 V
I D = 20A
0.02
T A = 150°C
T A = 125°C
1.4
T A = 85°C
1.2
V GS = 4.5V
I D = 10A
T A = 25°C
0.01
T A = -55°C
1.0
0.8
0
0
5
10 15 20 25
I D , DRAIN CURRENT
30
0.6
50
-25 0 25 50 75 100 125 150
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Fig. 8 Typical On-Resistance vs.
Drain Current and Temperature
POWERDI is a registered trademark of Diodes Incorporated
Fig. 9 On-Resistance Variation with Temperature
DMG7430LFG
Document number: DS35497 Rev. 5 - 2
4 of 7
www.diodes.com
February 2012
? Diodes Incorporated
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
DMG7702SFG-7 MOSFET N-CH 30V 12A PWRDI3333-8
DMG8601UFG-7 MOSFET 2N-CH 20V 6.1A DFN
DMG8822UTS-13 MOSFET ARRAY 20V 4.9A 8TSSOP
DMG8880LK3-13 MOSFET N-CH 30V 11A TO252-3L
DMG9926UDM-7 MOSFET N-CH DUAL 20V 4.2A SOT-26
DMG9926USD-13 MOSFET 2N-CH 20V 8A SOP8L
DMN100-7 MOSFET N-CH 30V 1.1A SC59-3
DMN1019UFDE-7 MOSFET N CH 12V 11A U-DFN2020-6E
相关代理商/技术参数
DMG7702SFG 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET WITH SCHOTTKY DIODE
DMG7702SFG-13 功能描述:MOSFET 30V N-Ch ENH Mode PowerDI 12A - 9.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
DMG7702SFG-7 功能描述:MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30 PowerDI3333-8,2K RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
DMG8601UFG 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
DMG8601UFG-7 功能描述:MOSFET LDO POSITIVE REG 2.7V/1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
DMG8822UTS 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
DMG8822UTS-13 功能描述:MOSFET N-Ch Dual MOSFET 20V VDSS 8V VGSS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
DMG8880LK3 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET